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JBD的MicroLED采用自创的混合集成电路技术将纯无机的三五族发光材料和硅基CMOS背板结合加工而成,其像素尺寸取决于光刻精度,可以小至纳米级别。这种工艺下加工的MicroLED体积小,功 耗低,亮度高。
区别于市面上大部分其他的MicroLED,他们主要是使用巨量转移技术,即先加工成分立的MicroLED,再通过巨量转移技术,将分立的MicroLED批量的转移到驱动背板上,如TFT背板,该技术的壁 垒主要受制于巨量转移技术及对准精度,其加工的发光点尺寸一般大于10um,显示面板的尺寸较大,主要应用于直接显示,如腕表的屏幕、手机屏幕。